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就业信息
Complementary Nanosheet Transistors (CFET): A Ballistic Noise Margin Model for the Subthreshold Logic Gate
发布日期：2025-12-08
浏览次数：次
报告人
江德光
报告单位
高雄大学
报告时间
2025年12月10日14：30
报告地点
海洋信息工程学院克立楼116
版权所有：集美大学 海洋信息工程学院
闽 ICP 备09004614号
